封装用IGBT测试仪价格价格合理「华科智源」

什么是大功率半导体元件？其用途为何？

凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。如下图片所示。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。

表格12动态参数测试部分组成

序号 组成部分 单位 数量

1 可调充电电源 套 1

2 直流电容器 个 8

3 动态测试负载电感 套 1

4 安全工作区测试负载电感 套 1

5 补充充电回路限流电感L 个 1

6 短路保护放电回路 套 1

7 正常放电回路 套 1

8 高压大功率开关 个 5

9 尖峰***电容 个 1

10 主回路正向导通晶闸管 个 2

11 动态测试续流二极管 个 2

12 安全工作区测试续流二极管 个 3

13 被测器件旁路开关 个 1

14 工控机及操作系统 套 1

15 数据采集与处理单元 套 1

16 机柜及其面板 套 1

17 压接夹具及其配套系统 套 1

18 加热装置 套 1

19 其他辅件 套 1

关断时间测试参数： 1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns 2、关断延迟时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns 3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns 4、关断能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、关断耗散功率Pon：10W～250kW 关断时间测试条件： 1、集电极电压Vce：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 2、集电极电流Ic：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A;