企业等级: | 普通会员 |
经营模式: | 生产加工 |
所在地区: | 广东 深圳 |
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陈少龙 先生
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手机号码: | 13008867918 |
公司官网: | www.igbts.com.c... |
公司地址: | 深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606 |
发布时间:2022-02-12 05:31:21
1.1 设备数量 1套 * 1.2 设备功能 测试功率半导体器件静态参数 * 1.3 设备组成 设备包含硬件模块和软件模块两大部分 * 1.4 硬件模块 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆,测试夹具、控制电脑等 * 1.5 软件模块 设备软件部分应包括: 1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能; 2. 图形化操作界面;1)可调充电电压源用来给电容器充电,实现连续可调的直流母线电压,满足动态测试、短路电流的测试需求。中/英文操作系统 3.输出EXCEL、wor测试报告 *4.切换大小功率测试模块,达到相应测试精度 *5.可生成器件的I-V特性曲线,曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格; *6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比,新测曲线可以与原测曲线进行对比; 2、设备尺寸 2.1 设备总体长度 ≤ 700 mm 2.2 设备总体宽度 ≤600mm 2.3 设备总体高度 ≤500mm
华科智源IGBT测试仪针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统;自动化程度高(按照操作人员设定的程序自动工作),计算机可以记录测试结果,测试结果可转化为文本格式存储,测试方法灵活(可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试),安全稳定(对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁),具有安全保护功能,测试速度方便快捷。因此,测量大电流情况下的各个模块实际技术参数,进行跟踪管理,可有效保障机车中间直流环节可靠运行。
测试的IGBT参数包括:ICES(漏流)、BVCES(耐压)、IGESF(正向门极漏流)、IGESR(反向门极漏流)、VGETH(门槛电压/阈值)、VGEON(通态门极电压)、VCESAT(饱和压降)、ICON(通态集极漏流)、VF(二极管压降)、GFS(跨导)、rCE(导通电阻)等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。三、华科智源IGBT测试仪系统特征: A:测量多种IGBT、MOS管 B:脉冲电流1200A,电压5KV,测试范围广。
半导体元件全自动测试系统,可以元件在真正工作状态下的电流及电压,并测量重要参数的数据,再与原出厂指标比较,由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块,都具有***的供电系统,以便在测试时,提供内部电路及电池组充电之用; 可选购外部高压模块,执行关闭状态参数测试如:各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析,以确保出厂产品的稳定性、可靠性。
2.4短路技术条件 1、Vcc: 200~1000V 200~1000V±3%±2V 2、一次短路电流:20000A 500~1000A±3%±2A 1000A~5000A±2%±5A 5000A~20000A±2%±10A 3、tp:5-30us 2.5雪崩技术条件 1、Vce:50~500V±3%±5V 500~1000V±3%±5V 2、Ic:1A~50A 1A~9.9A±3%±50mA 10A~50A±3%±1A 3、EA:10mJ~20J 10mJ~1000mJ±3%±1mJ 1J~20J±3%±10mJ 4、脉冲宽度:40—1000uS可设定 5、测试频率:单次 2.6 NTC测试技术条件 阻值测量范围:0~20KΩ
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