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陈少龙 先生
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公司地址: | 深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606 |
发布时间:2022-02-09 05:21:25
测试参数: ICES 集电极-发射极漏电流 IGESF 正向栅极漏电流 IGESR 反向栅极漏电流 BVCES 集电极-发射极击穿电压 VGETH 栅极-发射极阈值电压 VCESAT 集电极-发射极饱和电压 ICON 通态电极电流 VGEON 通态栅极电压 VF 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时,应按较高标准执行。
1)可调充电电压源
用来给电容器充电,实现连续可调的直流母线电压,满足动态测试、短路电流的测试需求。
?输入电压 380V±10%
?频率 50HZ;
?输出电压 500~1500V可调(可多个电源组成)
?输出电流 10A;
?电压控制精度 1%
?电压调整率 <0.1%;
?纹波电压 <1%;
?工作温度 室温~40℃;
?保护 有过压、过流、短路保护功能。
2.3栅极电荷技术条件 测试参数: 栅极电荷Qg:20nC~100uC 20nC~100nC±5%,分辨率±1nC 100nC~500nC±5%,分辨率±5nC 500nC~2uC±5%,分辨率±10nC 2uC~10uC±5%,分辨率±50nC 10uC~100uC±5%,分辨率±100nC 测试条件: 1、栅极驱动电压:-15V~+15V±3%,分辨率±0.1V 2、集电极电流:50~100A±3%±1A; 100~500A±3%±2A; 500~1000A±3%±5A; 3、集电极电压:50~100V±3%±1V 100~500V±3%±5V 500V~1000V±3%±10V 4、栅极驱动电流:满足5A以下测试要求
13)被测器件旁路开关 被测安全接地开关,设备不运行时,被测接地。 ?电流能力 DC 50A ?隔离耐压 15kV ?响应时间 150ms ?工作方式 气动控制 ?工作气压 0.4MPa ?工作温度 室温~40℃ ?工作湿度 <70% 14)工控机及操作系统 用于控制及数据处理,采用定制化系统,主要技术参数要求如下: ?机箱:4Μ 15槽上架式机箱; ?支持ATX母板;现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析,以确保出厂产品的稳定性、可靠性。 ?CPΜ:INTEL双核; ?主板:研华SIMB; ?硬盘:1TB;内存4G; ?3个5.25”和1个3.5”外部驱动器; ?集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。 ?西门子PLC逻辑控制
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