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陈少龙 先生
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发布时间:2022-01-17 20:45:22
测试参数: ICES 集电极-发射极漏电流 IGESF 正向栅极漏电流 IGESR 反向栅极漏电流 BVCES 集电极-发射极击穿电压 VGETH 栅极-发射极阈值电压 VCESAT 集电极-发射极饱和电压 ICON 通态电极电流 VGEON 通态栅极电压 VF 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用。否则,需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案,直至买方评估合格。
华科智源IGBT测试仪针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统;自动化程度高(按照操作人员设定的程序自动工作),计算机可以记录测试结果,测试结果可转化为文本格式存储,测试方法灵活(可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试),安全稳定(对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁),具有安全保护功能,测试速度方便快捷。1~200***ge栅极电压 -30V~30V -30~0V±1%±0。
IGBT动态参数测试系统技术要求
1、设备概述
该设备用于功率半导体模块(IGBT、FRD、肖特基二极管等)的动态参数测试,以表征器件的动态特性,通过测试夹具的连接,实现模块的动态参数测试。
2、需提供设备操作手册、维修手册、零部件清单、基础图、设备总图、部件装配图、电气原理图、全机润滑系统图、电气接线用、计算机控制程序软件及其他必要的技术文件,设备有通讯模块必须提供通讯协议及其他必要的技术文件,所有资料必须准备(正本、副本)各一份,电子版一份;(正本、副本)技术资料,应至少有一份采用中文,另一份技术资料可以是英文或中文。华科智源IGBT测试仪针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统。
3.1开通时间Ton测试原理框图 图3-1开通时间测试原理框图 其中:Vcc 试验电压源 ±VGG 栅极电压 C1 箝位电容 Q1 陪测器件(实际起作用的是器件中的续流二极管) L 负载电感 :100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换 IC 集电极电流取样电流传感器 DUT 被测器件 开通时间定义(见下图):栅极触发信号第二个脉冲上升的10%到集电极电流IC上升到10%的时间间隔为开通延迟时间td (on) ,集电极电流IC上升的10%到90%的时间间隔即为电流上升时间tr ,则ton= td (on)+tr
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