大功率IGBT测试仪现货供应诚信企业「华科智源」

测量目的：对模块的电压降参数进行检测, 可判断模块是否处于正常状态。 功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟踪管理，可有效保障机车中间直流环节可靠运行。 IGBT模块VCE-IC特线（单管），Vcesat随电流变大而增大。4MPa 电网电压：AC220V±10%无严重谐波，三线制 电网频率：50Hz±1Hz。

测试参数多且完整、应用领域更广泛，但只要使用其基本的2项功能：「开启」电流压降，「关闭」电流的漏电流，就可知道大功半导体有没有老化的现象。

?可移动型仪器，使用方便，测试简单快速，立即提供测试结果与数值。

?适用的半导体元件种类多，尤其能测大功率元件。

?用户能确实掌握新采购元件的质量，避免用到瑕疵或品。

?完全由计算机控制、快速的设定参数。

?适用于实验室和老化筛选的测试。

?操作非常简单、速度快。

?完全计算机自动判断、自动比对。

5、***负载

5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH；

5.2 电流 Ic 1000 1000 1000 500 A；

外部电感成阵列的内部连接。（外部电感的H值传给PC，以计算电流源的极限，限制脉宽到1000us）。

6、标准的双控制极驱动

6.1 门极电阻可人工预先设定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；

6.2 开启（Trun-ON）输出电压 Vge+ ： +15V；

6.3 关断（Trun-ON）输出电压 Vge- ： -15V；

6.4 脉宽： 10 ~ 1000us （单脉冲、双脉冲总时间）；

6.5 电压开关时间： < 50ns；

6.6 输出内阻： < 0.5Ω；

关断时间测试参数： 1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns 2、关断延迟时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns 3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns 4、关断能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、关断耗散功率Pon：10W～250kW 关断时间测试条件： 1、集电极电压Vce：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 2、集电极电流Ic：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A;