便携式IGBT测试仪加工产品介绍「华科智源」

（3）设备的功能特点 1）各种数据以图形方式在检测时实时显示与记录。数据采集后，后台软件自动及时绘出相应图表，以方便现场判断使用。 2）具有大容量的数据采集能力。测试数据直接进入控制电脑，这样使得采集数据的容量为无限大。4 硬件模块 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，测试夹具、控制电脑等 * 1。 3）具有内置的软件，帮助提供自动判断。 4）具有方便的历史数据存储及检索功能。

1.1 设备数量 1套 * 1.2 设备功能 测试功率半导体器件静态参数 * 1.3 设备组成 设备包含硬件模块和软件模块两大部分 * 1.4 硬件模块 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，测试夹具、控制电脑等 * 1.5 软件模块 设备软件部分应包括： 1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能； 2. 图形化操作界面；中/英文操作系统 3.输出EXCEL、wor测试报告 *4.切换大小功率测试模块，达到相应测试精度 *5.可生成器件的I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格；卖方由于自身原因而延迟交货时，买方有权按商务规定方法向卖方收取罚款。 *6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比，新测曲线可以与原测曲线进行对比； 2、设备尺寸 2.1 设备总体长度 ≤ 700 mm 2.2 设备总体宽度 ≤600mm 2.3 设备总体高度 ≤500mm

大功率半导体器件为何有老化的问题？

任何产品都有设计使用寿命，同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护，延长产品使用寿命和设备良好运行具有极为重要。功率元件由于经常有大电流往复的冲击，对半导体结构均具有一定的耗损性及***性，若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘，更会加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一样是不可避免的问题。华科智源IGBT测试仪针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统。

3.6 VCES 集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； 集电极电压VCES： 0-5000V±1.5%±2V； * 3.7 ICES 集射极截止电流 0.01～50mA 集电极电压VCES： 50～500V±2%±1V； 500～5000V±1.5%±2V； 集电极电流ICES： 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～150mA±1%±0.1mA；3半导体变流器变压器和电抗器 GB/T4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管。 * 3.8 VCE(sat) 饱和导通压降 0.001～10V 集电极电流ICE： 0-1600A 集电极电压VCEs： 0.001～10V±0.5%±0.001V 栅极电压Vge： 5～40V±1%±0.01V 集电极电流ICE： 0～100A±1%±1A； 100～1600A±2%±2A； * 3.9 Iges 栅极漏电流 0.01～10μA 栅极漏电流IGEs： 0.01～10μA±2%±0.005μA 栅极电压Vge： ±1Ｖ～40V±1%±0.1V； Vce=0V； * 3.10 VF 正向特性测试 0.1～5V 二极管导通电压Vf： 0.1～5V±1%±0.01V 电流IF： 0～100A±2%±1A； 100～1600A±1.5%±2A；