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陈少龙 先生
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发布时间:2021-12-11 01:38:34
现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT(绝缘栅型场效应晶体管)已成为大功率元件的主流,在市场上居于主导地位。由于科技进步,电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展,尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换..3半导体变流器变压器和电抗器 GB/T4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管。..等领域,使半导体开发技术人员在市场需求下,对大功率元件的发展技术,持续在突破。
如何执行导通参数与漏电流的量测?
?测试条件中待输入的数字,必须依照元件生产厂所提供的规格来输入,而测量结果,亦必须在其所规定的限额内,否则,便为不良品。
大功率I g b t模块测试系统简介
我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力:
☆可单机***操作,测试范围达2000V及50A。
☆外接大电流扩展装置,检测范围可扩展1600A。
3.3主要技术要求
3.3.1 动态参数测试单元技术要求
3.3.1.1 环境条件
1)海拔高度:海拔不超过1000m;
2)温度:储存环境温度 -20℃~60℃;
3)工作环境温度: -5℃~40℃;
4)湿度:20%RH 至 90%RH (无凝露,湿球温度计温度: 40℃以下);
5)震动:抗能力按7级设防,地面抗震动能力≤0.5g;
6)防护:无较大灰尘,腐蚀或性气体,导电粉尘等空气污染的损害;
用于安装固定试验回路及单元;主要技术参数要求如下;
?风冷系统;
?可显示主要电气回路参数及传感器测量值;
?可直观监视试验过程,并可兼容高温摄像头;
?防护等级:IP40。
?面板按钮可以进行紧急操作
?机柜颜色:RAL7035
17)压接夹具及其配套系统
?工作压力范围:5~200kN;分辨率0.1kN
?上下极板不平行度小于20μm
?极板平整度小于10μm
?压力可连续调节,施加压力平稳,不可出现加压时压力过冲
?安全技术要求:满足GB 19517—2009***电气设备安全技术规范;
?测试工作电压:10kV(整体设备满足GB 19517—2009标准外,局部绝缘电压应满足测试需求)
18)其他辅件
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