便携式IGBT测试仪加工品质***无忧「华科智源」

华科智源IGBT测试仪制造标准 华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生。 GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT） GB 13869-2008 用电安全导则 GB19517-2004 ***电器设备安全技术规范 GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包装储运图示标志 GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件 GB/T 2423 电工电子产品环境试验 GB/T 3797-2005 电气控制设备 GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用 GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则 GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制 GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器 GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管

3.6 VCES 集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； 集电极电压VCES： 0-5000V±1.5%±2V； * 3.7 ICES 集射极截止电流 0.01～50mA 集电极电压VCES： 50～500V±2%±1V； 500～5000V±1.5%±2V； 集电极电流ICES： 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～150mA±1%±0.1mA； * 3.8 VCE(sat) 饱和导通压降 0.001～10V 集电极电流ICE： 0-1600A 集电极电压VCEs： 0.001～10V±0.5%±0.001V 栅极电压Vge： 5～40V±1%±0.01V 集电极电流ICE： 0～100A±1%±1A； 100～1600A±2%±2A； * 3.9 Iges 栅极漏电流 0.01～10μA 栅极漏电流IGEs： 0.01～10μA±2%±0.005μA 栅极电压Vge： ±1Ｖ～40V±1%±0.1V； Vce=0V； * 3.10 VF 正向特性测试 0.1～5V 二极管导通电压Vf： 0.1～5V±1%±0.01V 电流IF： 0～100A±2%±1A；否则，需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案，直至买方评估合格。 100～1600A±1.5%±2A；

3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路 通态压降测试电路 ?高压充电电源：10~1500V连续可调 ?支撑电容：额定电压2kV ?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V ?栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V ?集电极电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A ?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定 4）栅极漏电流测试电路 栅极漏电流测试电路 ?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V； ?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA ?现今PowerMOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V； ?脉冲时间：40~100ms可设定

5 包装、标志和运输 卖方负责整套设备的包装和运输，并负担由此产生的费用。出厂调试结束、出厂前预验收完成后，卖方将为每个柜子量身定做包装柜，保证包装坚固，能适应中国境内公路、铁路运输，并兼顾设备在现场保存时间的要求。包装与运输由专人负责，每个部分随机文件包括发货清单、出厂合格证、试验报告和主要器件说明书等。01～50mA集电极电压VCES： 50～500V±2%±1V。