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半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。测试参数多且完整、应用领域更广泛，但只要使用其基本的2项功能：「开启」电流压降，「关闭」电流的漏电流，就可知道大功半导体有没有老化的现象。 半导体元件的每一个参数，依其极性的不同，都须要一个独特的测量电路，我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统，具有一组继电器形成的矩阵电路，依每个参数的定义，形成千变万化的电路，再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后，在极短的时间内将所须要的数据量测出来，且有些参数从量测的数据经快速运算即可得知其特性是否在规定范围内。

安全工作区测试负载电感

?电感量 1mH 、10mH、50mH、100mH

?电流 通过选择不同档位电感，满足0~200A电流输出需求（10ms）

?瞬态电压 大于10kV

?负载电感 配备自动切换开关，可分别接通不同电感值，由计算机控制自动接通；自动切换开关参数性能需求与电感要求相匹配。

5）补充充电回路限流电感

限制充电回路中的di/dt。

?电感量 100μH

?电流能力 6000A （5ms）

?瞬时耐压 10kV

?工作温度室温～40℃

?工作湿度 <70%

开通特性测试采用双脉冲测试法。由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值（一般为被测器件额定电压的1/2），设定±VGG到测试要求值，计算机控制接通开关S1,并控制输出被测双脉冲触发信号，开通和关断被测器件两次，被测器件次开通后，集电极电流IC上升，直至被测器件饱和导通且IC达到测试规定值时，关断被测器件(设为t1时刻)，之后电感L经二极管（Q1内部二极管）续流，IC迅速减小，直至IC降为零时，第二次开通被测器件(设为t2时刻)，此后电感L中的电流向IC转移，IC迅速上升(若L足够大，t1～t2间隔足够短，L中的电流可视为恒流），直至被测器件再次达到饱和导通时(设为t3时刻)，关断被测器件。将量测的数据与其出厂规格相比较，就可判定元件的好坏或退化的百分比。记录下被测器件IC、VCE以及VGE在t2～t3之间的导通波形，其中，VCE采样到示波器的CH1通道，IC取样到示波器的CH2通道，VGE采样到示波器的CH3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。

13）被测器件旁路开关 被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。 ?电流能力 DC 50A ?隔离耐压 15kV ?优势行业：电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。响应时间 150ms ?工作方式 气动控制 ?工作气压 0.4MPa ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 14）工控机及操作系统 用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下： ?机箱：4Μ 15槽上架式机箱； ?支持ATX母板； ?CPΜ：INTEL双核； ?主板：研华SIMB； ?硬盘：1TB；内存4G； ?3个5.25”和1个3.5”外部驱动器； ?集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。 ?西门子PLC逻辑控制