便携式IGBT测试仪厂家量大从优 华科半导体器件测试仪

9）尖峰***电容 用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。 ?电容容量 200μF ?分布电感 小于10nH ?脉冲电流 2kA ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 11）动态测试续流二极管 用于防止测试过程中的过电压。 ?反向电压 8000V(2只串联) ?-di/dt大于2000A/μs ?通态电流 1200A ?压降小于1V ?浪涌电流大于20kA ?反向恢复时间小于2μs ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 12）安全工作区测试续流二极管 ?（2）主要技术参数 1）基本参数 功率源： 5000V1200A 2）栅极-发射极漏电流IGES IGES： 0。反向电压 12kV(3只串联) ?-di/dt 大于2000A/μS ?通态电流 1200A ?压降 小于1V ?浪涌电流 大于20kA ?反向恢复时间 小于2μS ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70%

4验收和测试 1)验收由双方共同参加，按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项，检验单元是否功能齐全、模块完整、正常运行。由卖方现场安装、测试，买方确认测试合格通过后完成验收。 2)卖方负责***和实施整个单元的组装、调试、系统集成工作；负责免费培训并提供培训教材。培训后，应能达到用户能基本完全***熟练操作单元进行功率半导体性能测试，并能解决实际工程问题。卖方由于自身原因而延迟交货时，买方有权按商务规定方法向卖方收取罚款。

7质量保证要求 ?卖方应通过ISO 9001质量论证。 ?3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs3。卖方所提供的元件，必须是经过检验合格的器件，否则，买方有权拒付货款。 ?买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，以确保出厂测试的参数真实有效。 ?在调试期间发现元件有缺陷或受到损坏，应由卖方负责免费更换并予以赔偿。 ?卖方由于自身原因而延迟交货时，买方有权按商务规定方法向卖方收取罚款。 ?卖方对技术规范保证数据的有效性及交货保质期等应由双方协商确定并签署在合同中。