大功率IGBT测试仪批发优惠报价「华科智源」

如何执行导通参数与漏电流的量测？

?测试条件中待输入的数字，必须依照元件生产厂所提供的规格来输入，而测量结果，亦必须在其所规定的限额内，否则，便为不良品。

大功率I g b t模块测试系统简介

我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力：

☆可单机***操作，测试范围达2000V及50A。

☆外接大电流扩展装置，检测范围可扩展1600A。

3.1开通时间Ton测试原理框图 图3-1开通时间测试原理框图 其中：Vcc 试验电压源 ±VGG 栅极电压 C1 箝位电容 Q1 陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管） L 负载电感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换 IC 集电极电流取样电流传感器 DUT 被测器件 开通时间定义（见下图）：栅极触发信号第二个脉冲上升的10%到集电极电流IC上升到10%的时间间隔为开通延迟时间td （on） ，集电极电流IC上升的10%到90%的时间间隔即为电流上升时间tr ，则ton= td （on）+tr

3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路 通态压降测试电路 ?高压充电电源：10~1500V连续可调 ?1开关时间测试单元技术条件 开通时间测试参数： 1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns 2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns 4、开通能量：0。支撑电容：额定电压2kV ?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V ?栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V ?集电极电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A ?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定 4）栅极漏电流测试电路 栅极漏电流测试电路 ?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V； ?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA ?栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V； ?脉冲时间：40~100ms可设定