变频器用IGBT测试仪厂家量大从优「华科智源」

测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。5环境湿度：50%±20%（相对湿度）4、动态测试基本配置4。

半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。用户能对旧品元件作筛选，留下可用元件，确实掌握设备运转的可靠度。每个电流模块，都具有***的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用； 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。

3.6 VCES 集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； 集电极电压VCES： 0-5000V±1.5%±2V；1）可调充电电压源用来给电容器充电，实现连续可调的直流母线电压，满足动态测试、短路电流的测试需求。 * 3.7 ICES 集射极截止电流 0.01～50mA 集电极电压VCES： 50～500V±2%±1V； 500～5000V±1.5%±2V； 集电极电流ICES： 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～150mA±1%±0.1mA； * 3.8 VCE(sat) 饱和导通压降 0.001～10V 集电极电流ICE： 0-1600A 集电极电压VCEs： 0.001～10V±0.5%±0.001V 栅极电压Vge： 5～40V±1%±0.01V 集电极电流ICE： 0～100A±1%±1A； 100～1600A±2%±2A； * 3.9 Iges 栅极漏电流 0.01～10μA 栅极漏电流IGEs： 0.01～10μA±2%±0.005μA 栅极电压Vge： ±1Ｖ～40V±1%±0.1V； Vce=0V； * 3.10 VF 正向特性测试 0.1～5V 二极管导通电压Vf： 0.1～5V±1%±0.01V 电流IF： 0～100A±2%±1A； 100～1600A±1.5%±2A；

6）短路保护放电回路 紧急情况下快速放电，保证紧急情况时快速使设备处于安全电位。 ?IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求 1）阈值电压测试电路 阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路） 。回路耐压 DC10kV ?放电电流 10kA（5ms） ?工作温度 室温～40℃； ?工作湿度 <70% 7）正常放电回路 用于设备正常关机时放电，使设备处于安全电位。 ?回路耐压 10kV ?放电电流 50A ?工作温度 室温～40℃； ?工作湿度 <70% 8）高压大功率开关 ?电流能力 2000A ?隔离耐压 10kV ?响应时间 150ms ?脉冲电流 20kA（不小于10ms） ?工作方式 气动控制 ?工作气压 0.4MPa ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70%