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变频器用IGBT测试仪厂家常用解决方案「华科智源」

发布时间:2021-11-14 21:28:49        

测量目的:对模块的电压降参数进行检测, 可判断模块是否处于正常状态。从检测部分传输的数据经上位机处理后可自动列表显示相应测试数据。 功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化,饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此,定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成,由于个体差异,大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此,测量大电流情况下的各个模块实际技术参数,进行跟踪管理,可有效保障机车中间直流环节可靠运行。 IGBT模块VCE-IC特线(单管),Vcesat随电流变大而增大。


半导体元件除了本身功能要良好之外,其各项参数能否达到电路上的要求,必须定期测量,否则产品的质量特性很难保证,尤其是较大的功率元件,因具有耗损性,易老化及效率降低,因不平衡导致烧毁,甚至在使用中会发生。3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs3。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。 半导体元件的每一个参数,依其极性的不同,都须要一个独特的测量电路,我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统,具有一组继电器形成的矩阵电路,依每个参数的定义,形成千变万化的电路,再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后,在极短的时间内将所须要的数据量测出来,且有些参数从量测的数据经快速运算即可得知其特性是否在规定范围内。


大功率半导体器件为何有老化的问题?

任何产品都有设计使用寿命,同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护,延长产品使用寿命和设备良好运行具有极为重要。01uA 集电极电压VCE: 0V 栅极电压Vge: 0-40V±3%±0。功率元件由于经常有大电流往复的冲击,对半导体结构均具有一定的耗损性及***性,若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘,更会加速元件的老化程度,故元件老化,就如人的老化一样是不可避免的问题。


如何执行导通参数与漏电流的量测?

?测试条件中待输入的数字,必须依照元件生产厂所提供的规格来输入,而测量结果,亦必须在其所规定的限额内,否则,便为不良品。

大功率I g b t模块测试系统简介

我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力:

☆可单机***操作,测试范围达2000V及50A。

☆外接大电流扩展装置,检测范围可扩展1600A。


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