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公司地址: | 深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606 |
发布时间:2021-11-12 17:09:41
如何执行导通参数与漏电流的量测?
?测试条件中待输入的数字,必须依照元件生产厂所提供的规格来输入,而测量结果,亦必须在其所规定的限额内,否则,便为不良品。
大功率I g b t模块测试系统简介
我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力:
☆可单机***操作,测试范围达2000V及50A。
☆外接大电流扩展装置,检测范围可扩展1600A。
测试的IGBT参数包括:ICES(漏流)、BVCES(耐压)、IGESF(正向门极漏流)、IGESR(反向门极漏流)、VGETH(门槛电压/阈值)、VGEON(通态门极电压)、VCESAT(饱和压降)、ICON(通态集极漏流)、VF(二极管压降)、GFS(跨导)、rCE(导通电阻)等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。4 硬件模块 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆,测试夹具、控制电脑等 * 1。
半导体元件全自动测试系统,可以元件在真正工作状态下的电流及电压,并测量重要参数的数据,再与原出厂指标比较,由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块,都具有***的供电系统,以便在测试时,提供内部电路及电池组充电之用; 可选购外部高压模块,执行关闭状态参数测试如:各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。1有完备的安全控制单元,动态测试设备有传感器来保证操作者安全,设备任何门被打开均能快速切断高压电源。
技术要求
3.1整体技术指标
3.1.1 功能与测试对象
*1)功能
GBT模块动态参数测试。
*2)测试对象
被测器件IGBT模块动态参数。测试温度范围 Tj=25°及125°。
3.1.2 IGBT模块动态测试参数及指标
测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足国际标准IEC60747-9以及IEC60747-2。
以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。
2.4短路技术条件 1、Vcc: 200~1000V 200~1000V±3%±2V 2、一次短路电流:20000A 500~1000A±3%±2A 1000A~5000A±2%±5A 5000A~20000A±2%±10A 3、tp:5-30us 2.5雪崩技术条件 1、Vce:50~500V±3%±5V 500~1000V±3%±5V 2、Ic:1A~50A 1A~9.9A±3%±50mA 10A~50A±3%±1A 3、EA:10mJ~20J 10mJ~1000mJ±3%±1mJ 1J~20J±3%±10mJ 4、脉冲宽度:40—1000uS可设定 5、测试频率:单次 2.6 NTC测试技术条件 阻值测量范围:0~20KΩ
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