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现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。5雪崩技术条件 1、Vce：50～500V±3%±5V500～1000V±3%±5V 2、Ic：1A～50A 1A～9。

参数名称 符号 参数名称 符号

开通延迟时间 td(on) 关断延迟时间 td(off)

上升时间 tr 下降时间 tf

开通时间 ton 关断时间 toff

开通损耗 Eon 关断损耗 Eoff

栅极电荷 Qg

短路电流 ISC / /

可测量的FRD动态参数

反向***电流 IRM 反向***电荷 Qrr

反向***时间 trr 反向***损耗 Erec

主要参数 测试范围 精度要求 测试条件

Vce

集射极电压 150～3300V 150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V； 150～3300V

Ic

集射极电流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A

Vge

栅极电压 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；

0～+30V±1%±0.1V -30V～30V

Qg

栅极电荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

开通/关断延迟 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

开通/关断能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；

2.3栅极电荷技术条件 测试参数： 栅极电荷Qg：20nC～100uC 20nC～100nC±5%，分辨率±1nC 100nC～500nC±5%，分辨率±5nC 500nC～2uC±5%，分辨率±10nC 2uC～10uC±5%，分辨率±50nC 10uC～100uC±5%，分辨率±100nC 测试条件： 1、栅极驱动电压：-15V～+15V±3%，分辨率±0.1V 2、集电极电流：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A; 3、集电极电压：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求