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公司地址: | 深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606 |
发布时间:2021-11-10 18:14:23
1.1 设备数量 1套 * 1.2 设备功能 测试功率半导体器件静态参数 * 1.3 设备组成 设备包含硬件模块和软件模块两大部分 * 1.4 硬件模块 设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆,测试夹具、控制电脑等 * 1.5 软件模块 设备软件部分应包括: 1.操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能;半导体元件全自动测试系统,可以元件在真正工作状态下的电流及电压,并测量重要参数的数据,再与原出厂指标比较,由此来判定元件的好坏或退化的百分比。 2. 图形化操作界面;中/英文操作系统 3.输出EXCEL、wor测试报告 *4.切换大小功率测试模块,达到相应测试精度 *5.可生成器件的I-V特性曲线,曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格; *6.同一测试条件的器件的测试曲线可以在软件内进行对比,新测曲线可以与原测曲线进行对比; 2、设备尺寸 2.1 设备总体长度 ≤ 700 mm 2.2 设备总体宽度 ≤600mm 2.3 设备总体高度 ≤500mm
什么是大功率半导体元件?其用途为何?
凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC(可控硅)、SCR(晶闸管)、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等,其工作电流与电压乘积若大于1KW以上,均可属于大功率的范围。2关断:turnoff(tdoff,tf,Eoff,Ic,Poff)。如下图片所示。此类元件多用于车船,工厂的动力,光电及其他能源的转换上。
主要参数 测试范围 精度要求 测试条件
Vce
集射极电压 150~3300V 150~500V±3%±1V;
500~1000V±2%±2V;
1000~3300V±1%±5V; 150~3300V
Ic
集射极电流 1~200A 1~200A±3%±1A; 1~200A
Vge
栅极电压 -30V~30V -30~0V±1%±0.1V;
0~+30V±1%±0.1V -30V~30V
Qg
栅极电荷 400~20000nC Ig: 0~50A±3%±0.1mA; 400~20000nC
td(on)、td(off)
开通/关断延迟 10~1000ns 10~200±2%±2ns;200~1000±2%±5ns
tr、tf
上升/下降时间 10~1000ns 10~200±2%±2ns;200~1000±2%±5ns;
Eon、Eoff
开通/关断能量 1~5000mJ 1~50mJ±2%±0.1mJ;
50~200mJ±2%±1mJ;
200~1000mJ±2%±2mJ;
1000~5000mJ±1%±5mJ;
表格12动态参数测试部分组成
序号 组成部分 单位 数量
1 可调充电电源 套 1
2 直流电容器 个 8
3 动态测试负载电感 套 1
4 安全工作区测试负载电感 套 1
5 补充充电回路限流电感L 个 1
6 短路保护放电回路 套 1
7 正常放电回路 套 1
8 高压大功率开关 个 5
9 尖峰***电容 个 1
10 主回路正向导通晶闸管 个 2
11 动态测试续流二极管 个 2
12 安全工作区测试续流二极管 个 3
13 被测器件旁路开关 个 1
14 工控机及操作系统 套 1
15 数据采集与处理单元 套 1
16 机柜及其面板 套 1
17 压接夹具及其配套系统 套 1
18 加热装置 套 1
19 其他辅件 套 1
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